性能指标

真空指标：主腔真空度≤ 5×10⁻¹⁰ mbar

LMBE

● LMBE成膜腔体内基片加热温度：稳定达到1000℃（0.5 Torr氧气分压下）

●样品台四轴运动：X/Y移动范围: ±5.5 mm；Z轴移动范围: ±12.5 mm；自转分辨率0.1度

●靶托三轴运动：开环自转；闭环公转，分辨率0.1度；Z轴运动范围: ±40 mm

● 6个1英寸靶位

●掩膜板两轴移动：闭环绕轴转动（精度0.001度）；直线运动范围±10 mm

●双极差分高压RHEED

●能够实现在10⁻¹ Torr量级气压环境下的高能电子衍射(RHEED)的原位观测

STM

●工作温度:低至6 K

● X/Y/Z样品移动范围: 10 mm×10 mm×10 mm

● X/Y定位精度：1 µm; 分辨率:原子级别分辨率

主要应用

金属-绝缘体转变，高温超导电性，巨磁阻效应，重费米子

代表性应用成果