表(Table )
引用本文
分子束外延系统:MBE-V[J]. 中国科学院院刊, 2019, 34(Z1): 38-38
Molecular Beam Epitaxy System[J]. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2019, 34(Z1): 38-38
分子束外延系统:MBE-V
Molecular Beam Epitaxy System
●极限真空优于≤ 5×10−9 Pa
●束源炉最高温度1300 ℃，双驱控温，控温精度±1 ℃
●样品尺寸≤ 6吋，样品加热温度≤ 800 ℃
主要应用用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备
代表性应用成果GaAs MIMIC（微波、毫米波单片电路）和GaAs VHSIC（超高速集成电路）将在新型相控阵雷达、阵列化电子战设备、灵巧武器和超高速信号处理、军用计算机等方面起到重要作用
| 主要用户单位 | 中国科学院半导体研究所、南方科技大学、国家纳米科学中心、西安交通大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、河北大学、北京航空航天大学等 |
| 研制单位 | 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 |
| 联系方式 | 万向明 024-23826855，23826899，23826827，23826820，13998191237 wanxm@sky.ac.cn |