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碳化硅晶体生长炉:TDL85P
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace
中国科学院院刊, 2019, 34(Z1): 51-51
Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2019, 34(Z1): 51-51

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碳化硅晶体生长炉:TDL85P[J]. 中国科学院院刊, 2019, 34(Z1): 51-51
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace[J]. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2019, 34(Z1): 51-51
碳化硅晶体生长炉:TDL85P
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace

性能指标

● 碳化硅晶体直径不小于6英寸                ● 生长腔体真空度极限真空优于5.0×10−5 Pa

● 生长腔体保压12小时后真空度≤5 Pa     ● 生长腔压力控制范围100—90000 Pa

● 最高加热温度不小于2600 ℃                ● 共6路特气（包括Ar、N2、H2三种气体）

主要应用

用于以SiC为代表的晶体材料制备

代表性应用成果

 
主要用户单位 中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院物理研究所、北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、北京世纪金光半导体有限公司等
研制单位 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
联系方式 方老师 024-23826855、23826899、23826827、23826820