表(Table )
引用本文
蒸发源及控制器:EBE35A、RHE35A、EBC103、MTC110[J]. 中国科学院院刊, 2019, 34(Z1): 58-58
Evaporator and Controller[J]. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2019, 34(Z1): 58-58
蒸发源及控制器:EBE35A、RHE35A、EBC103、MTC110
Evaporator and Controller
● 电阻加热蒸发源—适用材料：有机分子/低温金属；工作温度范围：350 ℃—1300 ℃；坩埚类型：Al2O3/BN/石墨/金属；坩埚容积：1 cc；控温精度：±0.1℃
● 大坩埚电阻加热蒸发源—适用材料：有机分子/低温金属；工作温度范围：350 ℃—1500 ℃；坩埚类型：Al2O3/ BN/石墨；坩埚容积：7 cc；控温精度：±0.1 ℃
● 低温电阻加热蒸发源—适用材料：有机分子；工作温度范围：100℃—350℃；坩埚类型：Al2O3/BN/石墨；坩埚容积：7 cc；控温精度：±0.05℃。
● 电子束加热蒸发源—适用材料：半导体/高温金属；坩埚类型：W/Ta/石墨/Mo；源数量：1；最高工作温度范围：≥ 3000℃；束流控制精度：±5%。
● 多功能温度控制器—输入电压：220 VAC；输出电压：0—40 V；输出电流：0—20 A；控温精度：±0.1 ℃。
● 电子束加热控制器—高压源：0—2000 V；0—125 mA；束流检测范围：100 pA—1 mA；灯丝电流：0—5 A；束流最佳控制精度：5%
主要应用表面科学、超薄膜层、有机分子层、掺杂、分子束外延生长
代表性应用成果
| 主要用户单位 | 清华大学、北京大学、复旦大学、南京大学、中国科学院物理研究所、中国科学院国家纳米科学中心、中国科技大学、中国科学院大学、匹兹堡大学、加州大学Irvine分校、IBM实验室、伊利诺伊大学芝加哥分校、法国CEA |
| 研制单位 | 中国科学院物理研究所 |
| 联系方式 | 郇老师 010-82649096，18910279533 huanq@iphy.ac.cn |