表(Table )
引用本文
高密度等离子体刻蚀机:ICP-100[J]. 中国科学院院刊, 2019, 34(Z1): 75-75
High Density Plasma Etching System[J]. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2019, 34(Z1): 75-75
高密度等离子体刻蚀机:ICP-100
High Density Plasma Etching System
● 刻蚀速率：Si ≥ 0.5 μm/min、SiO2 ≥ 0.2 μm/min ● 非均匀性：4英寸样片≤ ±5%
● 刻蚀材料：石英、蓝宝石、Si ● 气路系统：标配6路进气，可定制
主要应用用于微电子、光电子器件的刻蚀
代表性应用成果
| 主要用户单位 | 清华大学、北京大学、天津大学、中国科学院物理研究所、国家纳米科学中心 |
| 研制单位 | 中国科学院微电子研究所、泰龙电子技术有限公司、中国科学院固体物理研究所 |
| 联系方式 | 何老师 010-62049399，13581817539 hemeng@ime.ac.cn 李新化 0551-65591402，15105601736 xihuali@issp.ac.cn |