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等离子体化学气相沉积镀膜设备：PECVD-300、PECVD-400[J]. 中国科学院院刊, 2019, 34(Z1): 82-82
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Coating Equipment[J]. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2019, 34(Z1): 82-82
等离子体化学气相沉积镀膜设备：PECVD-300、PECVD-400
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Coating Equipment
●中央传输室极限压力≤ 2×10−4 Pa ●进出片室极限压力≤ 6.67×10−1 Pa
●沉积室极限压力≤ 2×10−6 Pa
主要应用沉积碳化硅、非晶硅和微晶硅薄膜
代表性应用成果广泛应用于使用PECVD方法制备的薄膜研制和太阳能薄膜电池的研制
| 主要用户单位 | 辽宁（锦州）光伏研究院、中国科学院物理研究所、斯威本科技大学、广州市中普电子有限公司、上海理工大学、创隆实业（深圳）有限公司等 |
| 研制单位 | 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司、中国科学院微电子研究所 |
| 联系方式 | 何老师 010-82995592，13581817539 hemeng@ime.ac.cn 万向明 024-23826855，13998191237 wanxm@sky.ac.cn |