小型电子束曝光系统:DY-2000A
Electron Beam Lithography System based on SEM
●加速电压:1—30 kV ●电子束直径:6 nm ●电子束流:4 pA—10 nA
●最细线宽:20 nm ●扫描速度:5 MHz ●图形尺寸精度:0.06 µm;
●场拼接精度:0.1 µm ●单场曝光范围:10—1000 µm ●位移台运动范围:50 mm×50 mm
主要应用微纳米器件制作、新型半导体器件研究
代表性应用成果
主要用户单位 | 国家纳米科学中心、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、清华大学、南京大学 |
研制单位 | 中国科学院电工研究所 |
联系方式 | 刘俊标 010-82547185,13693629614 |