光刻机系列:URE系列
Mask Aligner

要技术与性能指标

URE-2000系列深度光刻机

●分辨力:0.8—1 μm   ●套刻精度:0.5 μm   ●曝光面积:1—6英寸  ●可添加纳米压印接口URE-2000S双面光刻机系列

●单面对准精度:0.5 μm   ●分辨力:1 μm   ●双面对准精度:0.5—1 μm   ●曝光面积:1—8英寸

●曝光方式:底面对准或双曝光头方式  ●可添加纳米压印接口

主要应用

集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件的研制和生产

代表性应用成果

主要用户单位 清华大学、北京大学、中国科学技术大学、复旦大学、浙江大学、上海交通大学、香港科技大学、南洋理工学院等高校,中国科学院物理研究所、西安光学精密机械研究所、微电子研究所、上海微系统与信息技术研究所、上海技术物理研究所、长春光学精密机械与物理研究所,以及中国电子科技集团、中国航天科技集团公司第九研究院和第四研究院等单位
研制单位 中国科学院光电技术研究所、中国科学院微电子研究所
联系方式 赵立新  028-85101784,13568853630  zhaolixin@ioe.ac.cn
何萌  010-62049399,13581817539  hemeng@ime.ac.cn