表(Table )
引用本文
高密度等离子体刻蚀机：ICP-100. 中国科学院院刊, 2020, 35(Z1): 110-110
High Density Plasma Etching System. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2020, 35(Z1): 110-110
高密度等离子体刻蚀机：ICP-100
High Density Plasma Etching System
●刻蚀速率：Si，≥ 0.5 μm/min；SiO2，≥ 0.2 μm/min ●非均匀性：4英寸样片，≤ ±5%
●刻蚀材料：石英、蓝宝石、硅 ●气路系统：标配6路进气，可定制
主要应用用于微电子、光电子器件的刻蚀
代表性应用成果
| 主要用户单位 | 清华大学、北京大学、天津大学、中国科学院物理研究所、国家纳米科学中心 |
| 研制单位 | 中国科学院微电子研究所、泰龙电子技术有限公司 |
| 联系方式 | 何 萌010-62049399，13581817539 hemeng@ime.ac.cn |