小型电子束曝光系统:DY-2000A
Electron Beam Lithography System Based on SEM

主要技术与性能指标

●加速电压:1—30 kV   ●电子束直径:6 nm   ●电子束流:4 pA—10 nA

●最细线宽:20 nm   ●扫描速度:5 MHz   ●图形尺寸精度:0.06 µm

●场拼接精度:0.1 µm   ●单场曝光范围:10—1 000 µm   ●位移台运动范围:50 mm×50 mm

主要应用

微纳米器件制作、新型半导体器件研究

代表性应用成果

主要用户单位 国家纳米科学中心、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、清华大学、南京大学
研制单位 中国科学院电工研究所、北京中科科仪股份有限公司
联系方式 刘俊标  010-82547185,13693629614  liujb@mail.iee.ac.cn