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等离子体化学气相沉积镀膜设备:PECVD-300、PECVD-400
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Coating Equipment
中国科学院院刊, 2020, 35(Z1): 80-80
Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2020, 35(Z1): 80-80

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等离子体化学气相沉积镀膜设备:PECVD-300、PECVD-400. 中国科学院院刊, 2020, 35(Z1): 80-80
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Coating Equipment. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2020, 35(Z1): 80-80
等离子体化学气相沉积镀膜设备:PECVD-300、PECVD-400
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Coating Equipment

主要技术与性能指标

●中央传输室极限压力：≤ 2×10−4 Pa

●进出片室极限压力：≤ 6.67×10−1 Pa

●沉积室极限压力：≤ 2×10−6 Pa

主要应用

沉积碳化硅、非晶硅和微晶硅薄膜

代表性应用成果

用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件

主要用户单位 辽宁（锦州）光伏研究院、中国科学院物理研究所、斯威本科技大学、广州市中普电子有限公司、上海理工大学、创隆实业（深圳）有限公司、澳大利亚墨尔本大学、深圳大学
研制单位 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
联系方式 何  萌  010-82995592，13581817539  hemeng@ime.ac.cn
万向明  024-23826819，13998191237  wanxm@sky.ac.cn