主要技术与性能指标

●极限真空优于10⁻⁹ Pa   ●束源炉最高温度1 300℃   ●双驱控温，控温精度±1℃

主要应用

用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于薄膜材料的科研与小批量制备

代表性应用成果

●该系统主要用于Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ族、化合物半导体超晶格材料、量子阱材料、高电子迁移率晶体管材料及异质结双极晶体管等材料的外延生长

●分子外延（MBE）技术实际上是一种原子级的加工技术，特别适于生长半导体超晶格、量子阱等新型半导体结构。MBE外延生长的GaAs、InP基微波器件，用于雷达、制导核心器件；也可生长多种红外探测器件，如碲镉汞红外探测器、量子阱红外探测器、锑化物红外探测器件等。另外，在低维物理研究领域、自旋电子学、量子器件等研究领域，各种微纳结构大都是依赖于MBE技术来制备的