表(Table )
引用本文
碳化硅晶体生长炉：TDL85P. 中国科学院院刊, 2020, 35(Z1): 99-99
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2020, 35(Z1): 99-99
碳化硅晶体生长炉：TDL85P
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace
●碳化硅晶体直径≥ 6英寸 ●生长腔体真空度极限真空优于5.0×10−5 Pa
●生长腔体保压12 h后真空度≤ 5 Pa ●生长腔压力控制范围100—90 000 Pa
●最高加热温度≥ 2 600 ℃ ●共6路特气（包括Ar、N2、H2 3种气体）
主要应用用于以SiC为代表的晶体材料制备
代表性应用成果
| 主要用户单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院物理研究所、北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、北京世纪金光半导体有限公司等 |
| 研制单位 | 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 |
| 联系方式 | 万向明 024-23826819，13998191237 wanxm@sky.ac.cn |