主要技术与性能指标

真空度指标                                         氧气分压下）                                          ±10 mm

● STM腔：真空度≤ 5×10⁻¹⁰ Torr      ● 样品台四轴运动X/Y移动范围：±5.5      ● 双极差分高压RHEED：能够实现

● RTTA腔：真空度≤ 5×10⁻¹⁰ Torr        mm；Z轴移动范围：±12.5 mm；自转    在10⁻¹ Torr量级气压环境下的高能

● LMBE腔：真空度≤ 7×10⁻⁹ Torr        分辨率：0.1°                                            电子衍射（RHEED）的原位观测

● Load Lock腔：真空度≤ 10⁻⁷ Torr   ● 靶托三轴运动：开环自转；闭环公转，  SPM腔

● Buffer腔：真空度≤ 1×10⁻⁶ Torr        分辨率0.1°；Z轴运动范围: ±40 mm      ● 工作温度：低至5.5 K

LMBE腔                                           ● 6个1英寸靶位                                       ● X/Y/Z样品移动范围：

● LMBE成膜腔体内基片加热温度：      ● 掩膜板两轴移动：闭环绕轴转动，其中      10×10×10 mm，1 µm分辨率

  工作温度900 ℃（0.5 Torr量级的          转动精度达到0.02°，直线运动范围：     ● 分辨率：原子级别分辨率

主要应用

可用于高效合成组分连续变化的新型薄膜材料+精确控制材料的组分和结构；高效、精确地原位表征其表面形态+电子状态，可应用于诸多科学问题的研究，如超导材料、巨磁阻材料、介电/铁电材料、半导体材料等

代表性应用成果

He G, Wei Z X, Feng Z P, et al. Combinatorial laser molecular beam epitaxy system integrated with specialized low-temperature scanning tunneling microscopy. Review of Scientific Instruments, 2020, 91: 013904.