主要技术与性能指标

离子注入型方硅探测器

●探测器尺寸：灵敏面积10 mm×10 mm（厚度150 μm，300 μm，500 μm，1000 μm）；20 mm×20 mm（厚度150 μm，300 μm，500 μm，1000 μm）；50 mm×50 mm（厚度300 μm，500 μm）

●漏电流：小于2 nA·cm⁻²·100 μm⁻¹

●能量分辨：SSD 10 mm×10 mm，小于1%；SSD 20 mm×20 mm，小于1%；SSD 50 mm×50 mm，小于2%

超高真空硅条探测器

● 16条硅条探测器灵敏面积50 mm×50 mm（厚度300 μm），32条硅条探测器灵敏面积40 mm×40 mm（厚度300 μm）

●漏电流：单条均小于2 nA·cm⁻²·100 μm⁻¹

●能量分辨：单条均小于1%

金硅面垒探测器

●探测器尺寸：灵敏面积Ф12（厚度50 μm），Ф20（厚度200 μm）

●漏电流：均小于400 nA·cm⁻²·100 μm⁻¹    ●能量分辨：均小于2%

主要应用

离子注入型方硅探测器、超高真空硅条探测器：用于带电粒子、X射线、γ射线及中子探测。金硅面垒探测器：用于重离子、低能电子探测，低能X射线能量刻度

代表性应用成果

白光中子束线上测试，ΔE-E粒子鉴别