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碳化硅晶体生长炉: TDL85P
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace
中国科学院院刊, 2021, 36(Z1): 73-73
Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2021, 36(Z1): 73-73

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碳化硅晶体生长炉: TDL85P. 中国科学院院刊, 2021, 36(Z1): 73-73
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2021, 36(Z1): 73-73
碳化硅晶体生长炉: TDL85P
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace

主要技术与性能指标

●碳化硅晶体直径：≥6英寸                         ●生长腔体真空度极限真空优于5.0×10-5 Pa

●生长腔体保压12 h后真空度：≤ 5 Pa        ●生长腔压力控制范：围100-90 000 Pa

●最高加热温度：≥ 2 600 ℃                      ●共6路特气（包括Ar、N2、H2 3种气体）

主要应用

半导体、LED、国防、航空航天、石油勘探、光存储等领域

代表性应用成果