表(Table )
引用本文
等离子体化学气相沉积镀膜设备: PECVD-300 PECVD-400. 中国科学院院刊, 2021, 36(Z1): 76-76
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Coating Equipment. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2021, 36(Z1): 76-76
等离子体化学气相沉积镀膜设备: PECVD-300 PECVD-400
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Coating Equipment
●中央传输室极限压力：≤ 2×10-4 Pa ●进出片室极限压力：≤6.67×10-1 Pa
●沉积室极限压力：≤ 2×10-6 Pa ● 80 mm×80 mm面积以内的硅薄膜，薄膜厚度均匀性偏差：< ±3%
● 50 mm×50 mm面积以内的硅薄膜，薄膜厚度均匀性偏差：< ±2.8% ●薄膜厚度重复性：< 5%
主要应用沉积碳化硅、非晶硅和微晶硅薄膜
代表性应用成果用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件
|