主要技术与性能指标

● 曝光波长：365 nm LED          ● 曝光分辨率（10倍）：1.3 µm          ● 大靶面CCD：2 500万像素

● 软件：支持导入图片曝光、绘图曝光、拼接曝光3种模式          ● 支持样品尺寸：≤ 2寸

● 外形尺寸：33 cm×43 cm×69 cm

主要应用

利用DMD作为数字掩模，代替传统物理掩模，实现了计算机控制图案光刻；引入大靶面的CCD成像光路，对需要曝光的样品进行实时成像；是二维材料、光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器

代表性应用成果

灵活便携、高效、分辨率高，定位精度高，能对待曝光样品进行实时成像，便于任意形状图案的绘制和曝光