蒸发源及控制器: E-beam Evaporator、K-Cell Evaporator (Effusion Cell)、Cracker、Alkali Metal Evaporator E-beam Controller、Temperature Controller、Baking Controller
Evaporators and Controllers

主要技术与性能指标

● 电阻加热蒸发源-法兰:DN 40 CF—DN 100 CF;温度范围:100℃—1 500℃;多种坩埚尺寸可选

● 裂解源-法兰:DN 40 CF—DN 100 CF;温度范围:低温区100℃—400℃,高温区300℃—800℃

● 电子束加热蒸发源-法兰:DN40CF;源数量:1;最高工作温度范围:≥ 3 000℃

● 电子束加热控制器-高压源:0—2 000 V,250 W;束流检测范围:100 pA—1 mA;灯丝电流:0—7 A

● 多功能温度控制器-输出功率:600—1 600 W,最多4路,自由分配;输出电流:20/40 A;控温精度:±0.1℃

主要应用

适用于MBE、表面科学、薄膜生长、样品制备及半导体材料、低维超导与拓扑材料,量子材料、磁性拓扑绝缘体材料、新型半导体电子材料等研究领域;非常适合用于蒸发高温难熔金属

代表性应用成果