主要技术与性能指标

● 光刻光源：365 nm（汞灯/LED）    ● 光刻分辨率：1—2.5 μm（可选）    ● 最大视场：50 mm×50 mm

● 样片外缘特种套刻精度：2 μm         ● 图层间套刻精度：< 500 nm            ● 产率：传感器芯片 > 900片/h

● 气浮工件台行程：> 250 mm×250 mm

主要应用

该装备能自动完成样片外缘特种套刻和图层套刻，可适应各类定制化基底，具有批处理效率高、自动化程度高、光刻质量高、曝光一致性好的特点。可用于温度传感器、压力传感器、电容传感器、声表器件等微纳器件的生产

代表性应用成果

已成功应用于多家不同类型传感芯片科研、生产单位。在压力敏传感芯片领域，相比现有接近接触式设备光刻效率提升10倍以上，并协助完成国内首条压力敏传感芯片国产化生产线建设，实现关键设备自主可控