主要技术与性能指标

●极限真空优于10⁻⁹ Pa   ●束源炉最高温度1 300℃  ●双驱控温，控温精度±1℃

●GaAs外延材料：厚度不均匀性≤±2%；掺杂不均匀性≤±3%  ●表面缺陷（1 µm厚GaAs）：≤ 50个/cm²

●电学性能（厚度2 µm GaAs）：背景载流子浓度n≤ 3× 10¹⁴ cm⁻³，迁移率μ_300K≥ 6 000 cm²/V.s，μ_77K≥ 60 000 cm²/V.s

主要应用

用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的研究。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研项目

代表性应用成果

●该系统主要用于Ⅲ—Ⅴ族、Ⅱ—Ⅵ族、Ⅳ族、化合物半导体超晶格材料、量子阱材料、高电子迁移率晶体管材料及异质结双极晶体管等材料的外延生长

●分子束外延（MBE）技术实际上是一种原子级的加工技术，特别适于生长半导体超晶格、量子阱等新型半导体结构。MBE技术可外延生长GaAs、InP基微波器件（用于雷达、制导核心器件）；也可生长多种红外探测器件，如碲镉汞红外探测器、量子阱红外探测器、锑化物红外探测器件等。另外，在低维物理研究、自旋电子学、量子器件等研究领域，各种微纳结构大都是依赖于MBE技术来制备的