主要技术与性能指标

●中央传输室极限压力：≤ 2×10⁻⁴ Pa  ●进出片室极限压力：≤ 6.67×10⁻¹ Pa

●沉积室极限压力：≤ 2×10⁻⁶ Pa  ●80 mm×80 mm面积以内的硅薄膜，薄膜厚度均匀性偏差：< ±3%

●50 mm×50 mm面积以内的硅薄膜，薄膜厚度均匀性偏差：< ±2.8%  ●薄膜厚度重复性：< 5%

主要应用

沉积碳化硅、非晶硅和微晶硅薄膜

代表性应用成果

用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件