http://dx.doi.org/10.16418/j.issn.1000-3045.2023Z104042
0

文章信息

原子层沉积系统: TALD-D/PEALD
Atomic Layer Deposition System
中国科学院院刊, 2023, 38(Z1): 42-42
Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2023, 38(Z1): 42-42

文章历史

工作空间

引用本文           
原子层沉积系统: TALD-D/PEALD. 中国科学院院刊, 2023, 38(Z1): 42-42
Atomic Layer Deposition System. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2023, 38(Z1): 42-42
原子层沉积系统: TALD-D/PEALD
Atomic Layer Deposition System

主要技术与性能指标

●极限真空：15 Pa  ●非均匀性：氧化铝 ≤ ±1%

●沉积材料：氧化物、氮化物、单质等  ●气路：最大6路液态前驱体源

主要应用

微电子器件、光伏、催化等领域的薄膜沉积

代表性应用成果