表(Table )
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碳化硅晶体生长炉: TDL85P. 中国科学院院刊, 2023, 38(Z1): 43-43 
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2023, 38(Z1): 43-43
碳化硅晶体生长炉: TDL85P
Silicon Carbide Crystal Growth Furnace
●碳化硅晶体直径：≥ 6英寸 ●生长腔体真空度极限真空：优于5.0× 10−5 Pa
●生长腔体保压12 h后真空度：≤ 5 Pa ●生长腔压力控制范围：100—90 000 Pa
●最高加热温度：≥ 2 600℃ ●共6路特气（包括Ar、N2、H2 3种气体）
主要应用半导体、LED、国防、航空航天、石油勘探、光存储等领域
代表性应用成果
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