http://dx.doi.org/10.16418/j.issn.1000-3045.2023Z104048
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反光电子能谱仪: IPES-1
Inverse Photoemission Spectrometer
中国科学院院刊, 2023, 38(Z1): 48-48
Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2023, 38(Z1): 48-48

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反光电子能谱仪: IPES-1. 中国科学院院刊, 2023, 38(Z1): 48-48
Inverse Photoemission Spectrometer. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2023, 38(Z1): 48-48
反光电子能谱仪: IPES-1
Inverse Photoemission Spectrometer

主要技术与性能指标

●真空度：≤ 5× 10−6 Pa  ●能量分辨：优于0.3 eV  ●束斑尺寸：直径5—10 mm

●入射电子能量范围：3.5—30 eV

主要应用

用于材料非占据态能级结构表征、无机半导体及有机半导体导带底位置表征

代表性应用成果

单晶硅导带底表征：以3.5—30 eV低能电子束逐能点扫描单晶硅（100）表面，获得该半导体材料导带能级密度分布情况，并准确定位导带底位置