http://dx.doi.org/10.16418/j.issn.1000-3045.2023Z104064
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高密度等离子体刻蚀机: ICP-100
High Density Plasma Etching System
中国科学院院刊, 2023, 38(Z1): 64-64
Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2023, 38(Z1): 64-64

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高密度等离子体刻蚀机: ICP-100. 中国科学院院刊, 2023, 38(Z1): 64-64
High Density Plasma Etching System. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2023, 38(Z1): 64-64
高密度等离子体刻蚀机: ICP-100
High Density Plasma Etching System

主要技术与性能指标

●刻蚀速率：Si，≥ 0.5 μm/min；SiO2，≥ 0.2 μm/min  ●非均匀性：4英寸样片，≤ ±5%

●刻蚀材料：石英、蓝宝石、硅  ●气路系统：标配6路进气

主要应用

用于微电子、光电子器件的刻蚀

代表性应用成果