表1(Table 1)
引用本文
分子束外延系统. 中国科学院院刊, 2024, 39(Z1): 39-39 
Molecular Beam Epitaxy System. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2024, 39(Z1): 39-39
分子束外延系统
Molecular Beam Epitaxy System
● 外延结构 AlGaAs/GaAs SL：4""GaAs，1 μm/h 的生长速率，GaAs 衬底上薄膜厚度非均匀性 ≤±2.0％（不包 括边缘 3 mm）
● 外延结构 GaAs-Si ：4""GaAs，1 μm/h 的生长速率，GaAs 衬底上薄膜掺杂浓度非均匀性 ≤±3.0％（不包括 边缘 3 mm）
● 外延结构 AlGaAs：4""GaAs，1 μm/h 的生长速率，AlGaAs 中的 Al 含量（30％）的非均匀性为 ≤±2.0%
主要应用用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等 新型薄膜材料的研究，可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科 研项目
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