主要技术与性能指标

● 极限真空度：<2.6× 10⁻⁵ Pa   ● 系统真空漏率：≤6.6× 10⁻⁸ Pa.L/s   ● 膜厚不均匀度：≤±5%

● 片间不均匀性：≤±5%   ● 批间不均匀性：≤±5%

主要应用

半导体、LED 科学研究

代表性应用成果

可满足铝、钛、铬、钒、镍、银、铟等金属，以及 ITO 等氧化物在基片上均匀沉积薄膜的各类工艺要求