深紫外激光光发射电子显微镜: DUV-DPL PEEM
Deep Ultraviolet Photoemission Electron Microscope(DUV-PEEM)

主要技术与性能指标

●PEEM分辨率≤10 nm  ●LEEM分辨率≤5 nm能量分辨率≤0.2 eV

主要应用

表面分析科学中的表面磁学、表面催化、薄膜生长等

代表性应用成果

关仪器装置应用在石墨烯、高温超导、拓扑绝缘体、宽禁带半导体和催化剂等研究中,涉及纳米与界面催化研究、热扩散阴极电子发射研究、金属表界面化学研究、表面微作用力研究等,获得了重要科研结果

主要用户单位 中国科学院空天信息创新研究院、中国科学院物理研究所、中国科学技术大学、西湖大学
研制单位 北京中科科仪股份有限公司
联系方式 王老师  13501270910   wanghonghai@kyky.com.cn