表1(Table 1)
引用本文
高分辨连续束飞行时间二次离子质谱: DC-TOF-SIMS Ⅰ. 中国科学院院刊, 2025, 40(Z1): 39-39 
DC Beam High Resolution Time-of-flight Secondary Ion Mass Spectrometer. Bulletin of Chinese Academy of Sciences, 2025, 40(Z1): 39-39
高分辨连续束飞行时间二次离子质谱: DC-TOF-SIMS Ⅰ
DC Beam High Resolution Time-of-flight Secondary Ion Mass Spectrometer
●灵敏度优于1 ppm，质量分辨率超过20 000，质量准确度优于3 ppm，质量范围在20—2 000 u
●质谱成像分辨率优于2 μm，光学成像分辨率优于1 μm，深度剖析分辨率优于4 nm
主要应用半导体、光电、催化、电池材料表面成像分析和深度剖析，获得不同元素的浓度分布；生命科学单细胞、组织化学成像分析，获得代谢物、标记元素浓度分布
代表性应用成果深度剖析获得半导体材料20 nm SiGe薄膜样品中Ge元素浓度的深度分布；深度剖析钙钛矿电池样品中各元素浓度的深度分布信息；质谱成像测量固体样品中金属元素In和Mo在样品表面的空间分布信息
