中文摘要: 王占国半导体材料物理学家。中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室主任，研究员，博士生导师。半绝缘Ⅲ－Ⅴ旅材料国际顾问委员会委员，国家高技术新材料领域专家委员会委员，功能材料专家组组长。１９３８年生于河南省镇平县。１９６２年天津南开大学物理系固体物理专业毕业。在国防科研工作中，取得的人造卫星用硅太阳电池辐照效应研究成果，为我国空间用硅太阳电池定型（由ＰＮ改为ＮＰ）投产起了关键作用。根据ＧａＡｓ热学和强场性质实验结果，与林兰英先生一起提出的杂质控制观点，对我国７０年代末ＧａＡｓ研制方向的转移和８０年代初ＧａＡｓ质量达到国际先进水平做出了重要贡献。在半导体深能级物理和光谱物理研究中，提出了识