中文摘要: 巨磁电阻（ＧＭＲ）效应的应用，是一个从科学发现向应用快速转化的最新例子。ＧＭＲ效应是１９８８年由德国Ｇｒｕｎｂｅｒｇ和法国Ｆｅｒｔ两位科学家的研究组发现的。研究对象是多层薄膜结构：Ｆｅ／Ｃｒ／Ｆｅ三层结构或［Ｆｅ／Ｃｒ］ｎ超晶格（ｎ为周期数）。用分子束外延（ＭＢＥ）方法制备。在外磁场作用下，这种多层结构薄膜的电阻值变化率可达５０％以上，故称为巨磁电阻效应。一年多后，ＩＢＭ公司的Ｐａｒｋｉｎ／小组用磁控溅射法代替昂贵的分子束外延方法制备多层膜，意外发现铁磁层之间的磁矩取向度随中介非磁性层厚度呈振荡变化，对于不同材料，其振荡周期大都在１．１至１１．３纳米范围。这个问题后来成为基础物理研究的核心。当