中文摘要: 科学家提出金属诱导下半导体表面再构的普适电子计数模型物理所博士研究生张立新与导师王恩哥研究员及薛其坤、张绳百、张振宇研究员合作,在大量第一性原理计算和进一步与实验结果比较的基础上,提出了一个“普适电子计数模型”(Generalized Electron Counting Model)。这一理论模型的建立为人们深入探索金属诱导下半导体表面发生再构时的规律,甚至为进一步探索掺杂纳米团簇的形成过程,同时对研究它们相应的物理性质开辟了新的途径。相关结果发表在美国Phys．Rev．Lett．上。